失效分析主要步驟和內(nèi)容

失效分析主要步驟和內(nèi)容：

1，芯片開封也成開帽，開蓋decap去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持 ** ，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準(zhǔn)備。

2, SEM 掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。

3, 探針測試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。鐳射切割：以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。

4，EMMI偵測：EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發(fā)光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。

5，OBIRCH應(yīng)用（鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試）：OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等，也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補充。

6，X-Ray 無損偵測：檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。

7、SAM (SAT)超聲波探傷可對IC 封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如：晶元面脫層, 錫球、晶元或填膠中的裂縫, 封裝材料內(nèi)部的氣孔,各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞等。

上述就是為你介紹的有關(guān)失效分析主要步驟和內(nèi)容的內(nèi)容，對此你還有什么不了解的，歡迎前來咨詢我們網(wǎng)站，我們會有專業(yè)的人士為你講解。

相關(guān)主題：軟件測試測評

關(guān)鍵詞：  失效分析  CE認(rèn)證  有害物質(zhì)檢測  亞馬遜檢測報告  深圳檢測機構(gòu)  pvoc認(rèn)證

編輯精選內(nèi)容：

• 【CE認(rèn)證】CE認(rèn)證的好處有哪些？

• 為什么要辦理CE認(rèn)證

• 做質(zhì)檢報告的好處有哪些

• 家教機SRRC型號核準(zhǔn)證要求有哪些

• 【KC認(rèn)證】KC認(rèn)證產(chǎn)品范圍及認(rèn)證類型

• 什么是SABER認(rèn)證

• 【廚房電器檢測報告】廚房電器檢測報告辦理流程

• 【FCC認(rèn)證】FCC認(rèn)證測試內(nèi)容有哪些