低頻噪聲是電子元器件在低頻段頻率范圍內(nèi)的電噪聲(電子元器件內(nèi)部的載流子隨機(jī)運(yùn)動(dòng)引起的電壓或電流的漲落),頻率范圍一般在1Hz~300kHz。電子器件的低頻噪聲是表征電子元器件質(zhì)量和可靠性的敏感參數(shù),制約著整機(jī)檢驗(yàn)靈敏度、噪聲大小以及保真度、誤觸發(fā)率、分辨率等指標(biāo),由于低頻噪聲與元器件材料內(nèi)部的導(dǎo)電微粒的不連續(xù)性,以及半導(dǎo)體的摻雜濃度等工藝有關(guān),在噪聲中包含大量器件物理特性信息,通過噪聲測(cè)試分析能得到噪聲與器件缺陷、材料以及結(jié)構(gòu)之間的關(guān)聯(lián), 所以電子元器件的低頻噪聲特性可以用作質(zhì)量和可靠性檢驗(yàn)評(píng)估方法,也可以幫助提升產(chǎn)品品質(zhì)。我國(guó)是電子元器件產(chǎn)品生產(chǎn)和使用大國(guó),基于低頻噪聲技術(shù)的電子元器件可靠性無損檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于促進(jìn)低頻噪聲技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用和提高電子元器件產(chǎn)品品質(zhì)具有重要意義。
電子系統(tǒng)以及電子器件噪聲測(cè)試與應(yīng)用起始于洛倫茲1912年對(duì)電子隨機(jī)運(yùn)動(dòng)的研究, 其后隨著電子系統(tǒng)與電子器件的發(fā)展, 人們對(duì)噪聲測(cè)試研究的范圍也更加廣泛。電子元器件低頻噪聲參數(shù)測(cè)試方法是制定基于低頻噪聲參數(shù)的電子元器件可靠性無損評(píng)價(jià)方法的基礎(chǔ)。
相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)包括:
SJ/T 11765晶體管低頻噪聲參數(shù)測(cè)試方法
SJ/T 11766光電耦合器件低頻噪聲參數(shù)測(cè)試方法
SJ/T 11767 二極管低頻噪聲參數(shù)測(cè)試方法
SJ/T 11768電阻器低頻噪聲參數(shù)測(cè)試方法
SJ/T 11769 電子元器件低頻噪聲參數(shù)測(cè)試方法 通用要求
參考SJ/T 11769標(biāo)準(zhǔn)5.2章節(jié)中,對(duì)低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)的要求:
a)測(cè)試頻率范圍:最低頻率不高于1Hz,最高頻率不低于300kHz或被測(cè)電子元器件噪聲參數(shù)要求的測(cè)試頻率上限的10倍。
b)測(cè)試系統(tǒng)采樣率大于測(cè)試頻率上限的2倍。
c)測(cè)試系統(tǒng)的前置放大器增益誤差≤±1%。
d)測(cè)試系統(tǒng)的時(shí)間序列測(cè)試準(zhǔn)確度:時(shí)基不確定度≤2%,幅度不確定度≤5%。
e)測(cè)試系統(tǒng)的頻譜測(cè)試:頻譜分辨率優(yōu)于1Hz,頻率不確定度≤2%,幅度不確定度≤5%。
f)測(cè)試系統(tǒng)與被測(cè)電子元器件采取屏蔽盒等外界干擾抑制措施,以減少電、磁、光和機(jī)械等環(huán)境因素引入的干擾,同時(shí)采用低噪聲電源,減少系統(tǒng)自身的噪聲,從而保證測(cè)試系統(tǒng)本底噪聲比被測(cè)電子元器件的噪聲低一個(gè)數(shù)量級(jí)以上或滿足電子元器件噪聲測(cè)試的相關(guān)要求。
由標(biāo)準(zhǔn)信息可知,測(cè)試低頻噪聲的關(guān)鍵,在于要有一臺(tái)有足夠低的本底噪聲的測(cè)試設(shè)備,北測(cè)集團(tuán)擁有迄今為止業(yè)界最高性能和最多功能的雙通道音頻分析儀APX555。APX555是美國(guó)AP公司專注音頻測(cè)量行業(yè)30年后的巔峰之作,它擁有-120dB的典型剩余失真、高達(dá)1MHz的帶寬,120萬(wàn)點(diǎn)的FFT,完整的24位分辨率,以及0.001Hz至80kHz的掃頻范圍,在指標(biāo)參數(shù)上的表現(xiàn)極端苛刻。使用APX555還可以這臺(tái)設(shè)備的帶寬、采樣率、前置放大器增益誤差、時(shí)間序列測(cè)試準(zhǔn)確度、頻譜分辨率等指標(biāo)完美契合低頻噪聲的測(cè)試需求,充分保證了測(cè)試數(shù)據(jù)的權(quán)威性。這臺(tái)設(shè)備還可以按SJ/T 11769標(biāo)準(zhǔn)5.1章節(jié)中的要求,給被測(cè)物提供白噪聲干擾,同時(shí)進(jìn)行噪聲的測(cè)試。
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